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【24h】

Subband-resonance oscillations in photoexcited GaAs-AlAs type-II superlattices

机译:光透镜GaAs-Alas II型超晶格中的子带共振振荡

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摘要

Subband-resonance oscillations have been observed in photoexcited, undoped type-II GaAsAlAs superlattices. The frequency can be tuned over a wide range either by the applied voltage or the photoexcited carrier density. The oscillations are due to an oscillating domain boundary between two electric-field domains.
机译:在光透明的,未掺杂的II型Gaasalas超晶格中观察到子带共振振荡。可以通过施加的电压或光透镜载波密度在宽范围内调谐频率。振荡是由于两个电场域之间的振荡域边界。

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