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X-band monolithic variable gain series feedback LNA

机译:X频段单片可变增益系列反馈LNA

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摘要

A description is given of an X-band monolithic four-stage low-noise amplifier (LNA) using series feedback that has demonstrated a 1.8-dB noise figure with 33.8-dB gain and greater than 40-dB gain control capability. This design features single-gate and dual-gate FETs (DGFETs) on the same chip. Gain control is achieved without degradation of input or output VSWR (voltage standing-wave ratio). The two input stages use single-gate FETs to achieve minimum noise figure, while the output stages use DGFETs for gain control capability.
机译:使用串联反馈给出了一种X频带单片四级低噪声放大器(LNA),该反馈已经证明了1.8-DB噪声系数,增益33.8-dB增益和大于40dB的增益控制能力。该设计在同一芯片上具有单栅和双栅FET(DGFET)。在不降低输入或输出VSWR(电压驻波比)的情况下实现增益控制。两个输入级使用单栅FET来实现最小噪声系数,而输出级使用DGFET进行增益控制能力。

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