常温接合を用いたGaAsプレート多数枚積層擬似位相整合中赤外波長変換デバイスの高品質化

摘要

化合物半導体GaAsは，波長17μm程度まで透明で，2次非線形光学定数がLiNbO_3の5倍以上大きく，熱伝導率も46 W/mKと高いため，中赤外波長変換材料として極めて有望である。しかしながら，GaAsは光学的に等方的であるため，波長変換を高効率で行うためには擬似位相整合(QPM: Quasi-Phase Matching)が必須となる。