電極導入型ダイヤモンドアンビルセルを用いたCu_2Teの高圧力下電気抵抗測定

摘要

我々は、容易に高圧力下での電気抵抗測定が可能な電極導入型ダイヤモンドアンビルセル(DAC)を開発し 1)、圧力誘起超伝導体を探索してきた。最近では、1111系超伝導体と同様の結晶構造を持つBiOCuSeが高圧力下で超伝導化することを報告した 2)。これを受けて、BiOCuSeの伝導面を構成するCuとCh (Ch=S, Se, Te)の2元系であるCu_2Chの圧力効果に着目した。さらに、高性能熱電物質であるCu_2ChはEF近傍に高い状態密度を持ち 3)、高いTcが期待できる。本研究では、その中で最も電気抵抗率が低いCu_2Te (Fig. 1(a))に着目し、高圧力下での電気抵抗を調べた。