【24h】

Ionization, Electron Attachment And Drift In CF4

机译:CF4中的电离,电子附着和漂移

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摘要

Thispaper have measured the density-normalized effective ionization coefficients (??-??)/N, (?? and ?? are the ionization and attachment coefficients, respectively) and the electron drift velocity Ve in Carbon tetrafluoride (CF4) using a pulsed Townsend technique. The overall density-normalized electric field strength E/N ranged from 50 to 250 Td (1 Td=10-17 Vcm2). From the above plots for (??-??)/N, we have derived the limiting or critical field strength, (E/N)lim??128 Td, which is the value of E/N at which (??-??)/N=0.
机译:本文使用脉冲测量了四氟化碳(CF4)中密度归一化的有效电离系数(Δε-Δε)/ N,(Δε和Δε分别是电离和附着系数)和电子漂移速度Ve。汤森技术。总体密度归一化电场强度E / N为50至250 Td(1 Td = 10-17 Vcm 2 )。从上面的(Δε-Δε)/ N曲线中,我们得出了极限或临界场强(E / N)limΔε128Td,它是在(Δε-Δε)/ N处(Δε-Δε)/ N的值。 ??)/ N = 0。

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