マイクロストリッププローブによる薄膜透磁率計測

摘要

1.インピーダンス整合を考慮し，フレキシブル基板を使用したマイクロストリップ形プローブおよび薄膜透磁率評価システムを開発した。2.CoFeB薄膜(45mm×25mm,0.5μm厚)の透磁率を評価し，最適化処理した測定値はLLG方程式による理論値と40GHz程度までおおむね対応した。3.CoNbZr薄膜(25mm×25mm,5nm厚)の透磁率を評価し，最適化処理した測定値はLLG方程式による理論値と15GHz程度までおおまかに対応した。