Detectors; Dynamic range; Silicon germanium; Voltage measurement; MOSFET; Resistors; BiCMOS integrated circuits;
机译:130 nm SiGe BiCMOS中的高增益100-180 GHz差分功率放大器的分析和设计
机译:在130 nm SiGe-BiCMOS中具有20 dBm输出功率和PAE高于15%的宽带,双通道,毫米波功率放大器
机译:130nm SiGe BiCMOS中的28GHz谐波调谐功率放大器
机译:具有高动态范围和130 NM SiGE BICMOS的100 GHz F波段的高动态范围和组合对数放大器的宽带正方形功率检测器
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:用于功率放大器预失真实验的数字补偿宽带60 GHz试验台
机译:130nm SiGe技术的100-145 GHz区域高效功率放大器