急峻pn接合Siダイオード技術を用いた高感度·高速性能低加速電圧電子線検出器

摘要

あらまし　本稿では急峻pn接合Siダイオード技術を用いた高感度·高速性能を有する低加速電圧電子線検出器について報告する.薄くて急峻な不純物濃度プロファイルを有する表面高濃度層を用いた紫外－可視－近赤外光高感度フォトダイオード技術を応用してSi中への侵入長が短い低加速電圧電子線に対する感度を向上させ，加速電圧lkVにおいて51.8%の量子効率を得ると共に，低不純物濃度Si基板と素子感度領域の分割構造の導入により信号読出しの高速化に資する素子容量の低減を行った.