高Al組成AlGaN半導体を用いる波長選択型紫外光検出器の開発

摘要

紫外光にはオゾン層によって大部分が吸収されて地表付近ではほとhど検出されないが、火炎の発光スペクトルに微弱に含まれるなどの特徴を有する波長帯域がある。したがってこのような紫外光を選択的に検出することによって、火炎を検出することが可能となる。また、AlN と GaNの混晶であるAlGaNは近年、光電子工学やパワーデバイスへの応用が期待されているワイドギャップ半導体材料の一つであり、組成比によってバンドギャップを3.4eVから6.2eVまで連続的に変化させることができ、検出光波長を200nmから365nmまで連続的に変化させることができる特徴を有する。本研究では紫外光に対して波長選択的に感度を有する光検出器を開発することを目的とする。