Ge/Si リブ導波路構造を用いた電界吸収型光変調器の検討Ⅲ

摘要

Si フォトニクス技術とCMOS (ComplementaryMetal Oxide Semiconductor) 電子回路技術を融合し，低消費電力で超高密度の信号伝送を実現する光電子融合技術が注目を集めている．光変調器は伝送容量と消費電力を左右するキーデバイスであると考えられる．近年，Ge あるいはGeSi におけるフランツ・ケルディッシュ(FK)効果を用いた電界吸収型(EA) 光変調器が報告されている[1]-[3]．EA 変調器は，電気容量が小さく，低電力化と共に高速化が可能であるが，動作波長帯域の制御が課題である．