ａ-Si:H パッシベーション直上のITO 膜形成における四面対向式スパッタリングの適用とその効果

摘要

新規低ダメージスパッタカソードとして、マグネトロン放電を用いた四面式の対向ターゲットスパッタカソード（以下、RAM カソード）を開発し、単結晶Si 太陽電池のパッシベーションa-Si:H膜上へのITO 成膜に適用し、iVoc およびCarrier lifetime を一般的に使用されているロータリーカソードでのITO 成膜と比較して評価した。ここで発表したデーターの一部を図１(a)～(d)に示す。