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A 1.7-dB Minimum NF, 22-32 GHz Low-Noise Feedback Amplifier with Multistage Noise Matching in 22-nm SOI-CMOS

机译:具有22nm SOI-CMOS的多级噪声匹配的1.7dB最小NF,22-32 GHz低噪声反馈放大器

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摘要

A transformer-feedback low-noise amplifier (LNA) implemented in 22-nm SOI-CMOS with interstage noise matching is described. The LNA peak gain is 21.5dB at 22GHz, with a -3dB bandwidth (BW) of 19-36GHz. Minimum noise figure (NF) is 1.7dB centered at 28GHz, and remains below 2.2dB across 10GHz. Third-order input intercept (IIP3) is -13.4dBm at peak gain when dissipating 17.3mW. Input and output return losses are >10dB across 22-32GHz (effective BW). Modulation of the FET backgate voltage increases NF by <;0.5dB, while reducing power consumption to just 5.6mW.
机译:描述了在具有级间噪声匹配的22nm SOI-CMOS中实现的变压器反馈低噪声放大器(LNA)。 LNA峰值增益在22GHz时为21.5dB,-3dB带宽(BW)在19-36GHz。最低噪声系数(NF)在28GHz处为1.7dB,在10GHz范围内仍低于2.2dB。三阶输入截取(IIP 3 耗散17.3mW时,峰值增益为-13.4dBm。在22-32GHz(有效带宽)范围内,输入和输出回波损耗> 10dB。 FET背栅电压的调制使NF增加<; 0.5dB,同时将功耗降至5.6mW。

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