Institute of Applied Physics, University of Erlangen-Nuernberg, Staudtstr. 7/A3, D-91058 Erlangen, Germany;
erbium-related centers; 6H silicon carbide; DLTS; LTPL;
机译:用椭圆偏振光谱法测量3C,4H和6H碳化硅的红外至真空紫外光学特性
机译:NV以3C,4H和6H碳化硅为中心:固态量子比特和纳米传感器的可变平台
机译:NV以3C,4H和6H碳化硅为中心:固态量子比特和纳米传感器的可变平台
机译:铒相关中心的电气和光学性质在6H碳化硅中
机译:二氧化硅/碳化硅界面的微结构和化学研究及其与碳化硅MOS二极管和碳化硅MOSFET的电学性质的关系。
机译:具有碳化硅自旋的电驱动光学干涉仪
机译:光学可寻址硅空位相关的菱形旋转中心 碳化硅具有高击穿特性和ENDOR证据 他们的结构
机译:6H晶体碳化硅的电学特性