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Electroluminescence by Impact Excitation of Excitons in a Monolayer WSe2

机译:在单层WSe2中通过激子的冲击激发进行电致发光。

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摘要

We demonstrated exciton electroluminescence by impact excitation in a monolayer WSe2 based field effect transistor on SiO2/Si substrate at room temperature. Hot electrons or holes can be controlled as impact sources through the back gate.
机译:我们在单层WSE中的影响激发展示了激子电致发光 2 SiO的基础效应晶体管 2 / Si衬底在室温下。热电子或孔可以通过后栅极控制为冲击源。

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