【24h】

New GaN Technology for Superior Efficiency in Electric Vehicles

机译:新型GaN技术可提高电动汽车的效率

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摘要

ST's new gallium-nitride (GaN) transistor prototypes can be used in a large range of automotive applications to provide the necessary performance improvements demanded by the ever increasing car electrification requirements. Our low voltage GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) are highly suitable for mild hybrid powertrain systems as they render new power conversion concepts possible with faster switching operations and improved reliability.
机译:意法半导体的新型氮化镓(GaN)晶体管原型可用于各种汽车应用,以提供不断提高的汽车电气化要求所要求的必要性能改进。我们的低压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)非常适用于轻度混合动力总成系统,因为它们使新的功率转换概念成为可能,并具有更快的开关操作和更高的可靠性。

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