静電気放電保護回路のリーク電流低減手法の検討

摘要

ESD保護回路では，ESD保護ダイオードによるリーク電流分よりも，スタンダードCMOSプロセスであるために，寄生ダイオードによって生じるリーク電流が大きく，高入力インピーダンスアンプ回路の入力バイアス電流の主な勝因であった.既に提案されているリーク電流補償回路では，寄生ダイオードへのリーク電流は補償できないため，入力バイアス電流を低減することができなかった.提案したリーク電流補償回路では，寄生ダイオードへのリーク電流も補償することで，入力バイアス電流をキャンセルできる.SPICEシミュレーション比較結果によ•り，提案するESD保護回路のリーク電流低減手法では，入力バイアス電流を1/5000以下に低減出来ることが確認できた.