JFETs; Logic gates; Rectifiers; Schottky diodes; Silicon; Silicon carbide; Switches; Cascode rectifier; SiC JFET; Wide Band-Gap Semiconductors;
机译:基于通常基于SiC JFET和Si MOSFET的前端级联整流器的使用
机译:SiC JFET和SiC JFET / Si MOSFET级联配置的开关性能比较
机译:常导SiCED-JFET C-V特性的测量和数值分析
机译:基于常导SiC JFET的共源共栅整流器的动态行为分析和表征
机译:基于分子动力学的ZrB2 / SiC基陶瓷纳米材料的计算形态建模和混合模式断裂分析
机译:本质无序SiC1激酶抑制剂结构域的动力学行为和构象选择机制
机译:关于基于常导SiC JFET和Si MOSFET的前端共源共栅整流器的使用