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【24h】

A 34–110 GHz wideband, asymmetric, broadside-coupled Marchand balun in 180 nm SiGe BiCMOS technology

机译:采用180 nm SiGe BiCMOS技术的34–110 GHz宽带,非对称,宽边耦合的Marchand不平衡变压器

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摘要

An asymmetric, broadside-coupled Marchand balun for wideband millimeter wave applications is presented. The balun based on the modified off-center frequency method achieves 34–110 GHz operation bandwidth and exhibits minimum insertion loss of 4.7 dB at 54 GHz. To the author's best knowledge, this is the widest operational bandwidth among the recently published millimeter wave baluns in silicon technology.
机译:提出了一种用于宽带毫米波应用的非对称,宽边耦合的Marchand不平衡变压器。基于改进的偏心频率方法的巴伦实现了34–110 GHz的工作带宽,并且在54 GHz时表现出的最小插入损耗为4.7 dB。据作者所知,这是最近发布的硅技术毫米波巴伦中最宽的工作带宽。

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