CMOS integrated circuits; LC-VCO; phase noise; phase-locked loops; voltage-controlled oscillators;
机译:采用130 nm SiGe BiCMOS技术的电荷泵设计,适用于低噪声小数N分频PLL
机译:使用数字CMOS产生时钟的PLL的未来性能预测-使用LC振荡VCO的PLL的效果
机译:使用PLL的数字CMOS工艺效能使用LC振荡器VCO时钟产生对未来业绩的预测
机译:具有65nm CMOS混合模式三输入LC VCO的低噪声分数N PLL设计
机译:用于高频PLL的基于LC储罐的VCO。
机译:采用130 nm SiGe BiCMOS技术的电荷泵设计,适用于低噪声小数N分频PLL