高周波キャリア型薄膜磁界センサ素子の低周波領域における感度増加に関する検討

摘要

高周波キャリア型磁界センサはMI素子とも呼ばれ，高感度磁気センサに用いられている.この素子を膜厚数μm程度までの薄膜により実現する場合，一般に動作周波数は100MHz以上の高周波となる.駆動·検出回路との整合性を考慮した場合，数10MHzで動作することが望ましい.そこで，ここでは高周波キャリア型薄膜素子の周波数特性において数10MHz付近で見られるインピーダンスの特異な変化について調査し，比較的低い周波数で動作する高感度な高周波キャリア型薄膜素子の可能性について検討した.