マイクロストリツプ型プローブによる極薄膜透磁率計測

摘要

磁性薄膜を用いたセンサデバイスには一層あたり数nm程度のスパッタがなされる。ここではインピーダンス整合を考慮したマイクロストリップ型プローブを磁性薄膜に近接させることで非破壊に極薄膜透磁率評価を試みた。