机译:ATR-FTIR Kretschmann光谱学用于对涂有硅烷膜和环氧II的隐藏铝表面进行界面研究。电解质暴露期间通过集成的ATR-FTIR和EIS进行分析,并通过原位ATR-FTIR和原位IRRAS进行补充研究
机译:暴露于水和电解质后铝/聚合物界面的原位ATR-FTIR研究
机译:集成的原位ATR-FTIR和EIS装置可研究暴露于电解质溶液中的埋藏金属-聚合物界面
机译:原位ATR-FTIR和EIS研究隐藏铝/聚合物接口在暴露于电解质时与中间硅烷膜接口
机译:使用电化学阻抗谱和ATR-FTIR光谱表征溶液中的电极/ SAM /电解质界面和分子间相互作用。
机译:固溶体界面上聚合物修饰的磷脂单层的中子反射率研究:硅烷修饰基质上的聚乙二醇-脂质。
机译:获得厚而有序的纳米多孔阳极氧化铝膜的不同电解质的比较研究。