机译:MOS器件基于物理的量子力学紧凑模型,通过超薄(EOT〜1 nm)SiO {sub} 2和高k栅叠层注入衬底的隧道电流
机译:利用熵原理对纳米器件中的半经典输运进行量子校正
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件
机译:具有高k栅极堆叠的先进器件的半透数传输的比较
机译:研究将Ⅲ族元素(镧,gate 、,和铝)掺入用于高级CMOS应用的金属栅/高k堆栈中的方法。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:基于Hf的高K栅极电介质和金属栅极叠层,用于高级CMOS器件
机译:用于混合阴离子砷化物 - 锑化物量子阱晶体管的高级复合高k栅堆叠