机译:使用InP DHBT技术在G频段工作的推压振荡器
机译:InP / GaAsSb技术中DHBT的特性和建模,用于设计和制造Ka波段MMIC振荡器
机译:使用超过300 GHz f / sub T // f / sub max / InP DHBT的3.48 ps ECL环形振荡器
机译:InP DHBT工艺中的> 300GHz固定频率和压控基频振荡器
机译:超过1 THz带宽的大规模InP / InGaAs DHBT
机译:CMOS电压控制振荡器的开关偏置技术
机译:基于250 nm InP / InGaAs / InP DHBT工艺的140-220 GHz成像前端