3次元型トランジスタを用いたシステムL S Iの設計法

摘要

近年の髙集積化されたシステムL S Iでは、2点の大きな問題が指摘されている。1点目はシステムL S Iを構成する平面型CMOSトランジスタの微細化の限界である。ショートチヤネル効果の增加、サブスレツショルド特性の劣化が解決困難となってきた。2点目はユーザーからの高機能化の要請に答えるために必然的に生じるチップの大型化に伴う製造コストの増大である。大型化に伴いダロスは低下し、歩留りも大幅に低下してしまう。