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A three-valued D-flip-flop and shift register usingmultiple-junction surface tunnel transistors

机译:使用多结表面隧道晶体管的三值D触发器和移位寄存器

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摘要

A three-valued D-flip-flop (D-FF) circuit and a two-stage shiftregister built from InGaAs-based multiple-junction surface tunneltransistors (MJSTT) and Si-based metal-oxide-semiconductor field effecttransistors (MOSFET) have been demonstrated. Due to the combination ofthe MJSTT's latching function and the MOSFET's switching function, thenumber of devices required for the D-FF circuit was greatly reduced totwo from the thirty required for the FET-only circuit
机译:三值D触发器(D-FF)电路和两级移位 从基于InGaAs的多结表面隧道构建的寄存器 晶体管(MJSTT)和硅基金属氧化物半导体场效应 晶体管(MOSFET)已被证明。由于结合 MJSTT的锁存功能和MOSFET的开关功能 D-FF电路所需的设备数量大大减少到 仅FET电路所需的三十个中的两个

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