Design of 90nm 1Gb ORNAND/sup TM/ Flash Memory with MirrorBit/sup TM/ Technology

机译：采用MirrorBit / sup TM /技术设计90nm 1Gb ORNAND / sup TM /闪存

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Using the virtual ground array structure of 2 bits/cell MirrorBittrade technology, a 90nm, 1.8V ORNANDtrade product combining the advantages of both NOR and NAND is presented. Full NAND functionality and performance compatibility is shown, while maintaini

机译：通过使用2位/单元MirrorBittrade技术的虚拟接地阵列结构，提出了一种结合NOR和NAND优势的90nm，1.8V ORNANDtrade产品。显示了完整的NAND功能和性能兼容性，同时保持了

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来源
《VLSI Circuits, 2006 IEEE Symposium on》|2006年|P.114-115|共2页
会议地点
作者
T. Kuo; N. Yang; N. Leong; E. Wang; F. Lai; A. Lee; H. Chen; S. Chandra; Y. Wu; T. Akaogi; A. Melik-Martirosian; A. Pourkeramati; J. Thomas; M. VanBuskirk;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类工业技术;
关键词
NAND circuits; NOR circuits; flash memories; logic design; memory architecture; 1 Gbyte; 1.8 V; 90 nm; MirrorBit technology; NAND gates; NOR gates; ORNAND flash memory; virtual ground array;

机译：NAND电路; NOR电路;闪存;逻辑设计;内存架构; 1 GB; 1.8 V; 90 nm; MirrorBit技术; NAND门; NOR门; ORNAND闪存;虚拟接地阵列;

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