CMOS integrated circuits; MOS capacitors; inductors; microwave oscillators; varactors; voltage-controlled oscillators; 0.13 micron; 10 Gbit/s; 9.953 to 12.5 GHz; CMOS process; LC VCO; LC oscillator; MOS capacitors; bias voltages offset; bond wire inductor; constant gai;
机译:违反IEEE出版原则的通知使用电阻调谐变容二极管和电源推动消除电路的多速率9.953-12.5-GHz 0.2-; C; m SiGe BiCMOS LC振荡器
机译:违反IEEE出版原则的通知低参考杂散使用完全采样前馈环路滤波器架构的1-5 GHz 0.13美元/μmCMOS频率合成器
机译:违反IEEE发布原则的通知使用偏置电流调制消除的3.3 V 12.5 Gb / s 0.2μmSiGe BiCMOS激光二极管驱动器
机译:使用高分辨率校准和恒增益变容二极管违反IEEE出版原则
9.953-12.5GHz 0.13; C; m CMOS LC VCO的通知
机译:具有n型和p型栅极的mOs变换器及其对数字CmOs中LC-VCO的影响