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Sub-quarter Micron Poly-Si Etching With Positive Pulse Biasing Technique

机译：采用正脉冲偏置技术的四分之一微米的微米级多晶硅蚀刻

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来源
《Next Generation Internet Networks, 2005》|2005年|p.234-236|共3页
会议地点
作者
Kofuji N.; Tsujimoto K.; Mizutani T.;
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正文语种
中图分类自动化技术、计算机技术;
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