Monte Carlo methods; impurity scattering; ion implantation; semiconductor doping; valence bands; B-H formalism; degenerate bands; doped semiconductors; hole ionized impurity scattering; hole transport; non-parabolic bands; valence band model; warped bands;
机译:具有退化近似和非抛物能带的n型退化硅中带隙变窄效应的多数和少数载流子的爱因斯坦方程的修正
机译:铝掺杂氧化锌薄膜带隙的多体保利阻挡和载流子杂质相互作用:评估简并半导体的空穴和电子有效质量的新方法
机译:覆盖SWIR,MWIR和LWIR波段的非抛物线和高度退化的HgCdTe半导体的统一载流子密度近似
机译:翘曲,非抛物线和简并带的空穴离子杂质散射
机译:使用非抛物线能带结构模型研究材料的低场和高场特性的通用蒙特卡洛工具。
机译:硅纳米线晶体管中电离杂质散射对总迁移率影响的模拟
机译:电子杂质散射对纳米态密度的影响 硅质:杂质带和带隙变窄