gallium arsenide; III-V semiconductors; noise measurement; phase modulation; amplitude modulation; thermal noise; phase noise; microwave amplifiers; wideband amplifiers; intermodulation distortion; semiconductor device noise; semiconductor device models; noise figure-PM noise measurements; microwave frequencies; amplitude modulation; thermal noise level; residual broadband noise; amplifier nonlinear intermodulation distortion; single sideband PM noise floor; phase modulation; 1 to 5 dB; GaAs;
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