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【24h】

2000 5th International Symposium on Plasma Process-Induced Damage(IEEE Cat. No.00TH8479)

机译:2000年第五届等离子工艺引起的损害国际研讨会(IEEE目录号00TH8479)

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摘要

The following topics were dealt with: charging damage; gate oxides; SOI technology; CVD processing; electron shading; front-end processing; multilevel interconnects; 300 mm technology; copper and low-κ dielectrics; dielectric thin films; antenna test structures; interlevel dielectrics.
机译:处理了以下主题:充电损坏;栅极氧化物SOI技术; CVD处理;电子阴影前端处理;多级互连; 300毫米技术;铜和低κ电介质;电介质薄膜;天线测试结构;层间电介质。

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