10 kV SiC MOSFETs; medium voltage (MV); two-level voltage source converter (2L-VSC); power stack;
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:基于15 kV SiC MOSFET的中压中频隔离式DC-DC转换器
机译:在相同dv / dt条件下用于中压转换器的15kV SiC MOSFET和15kV SiC IGBT的比较评估
机译:基于6.5kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC MOSFET / SiC-JBS二极管的大功率中压转换器的设计比较
机译:基于15 kV SiC MOSFET的中压中频隔离式DC-DC转换器。
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:串联连接的1.7 kV / 325的主动电压平衡A SiC MOSFET在中电压下连续操作
机译:2.3兆瓦中压三电平风能逆变器采用独特的总线结构和4.5kV si / siC混合隔离电源模块。