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【24h】

Geiger Mode Ge-on-Si Single-Photon Avalanche Diode Detectors

机译:Geiger mode GE-on-SI single-photon avalanche diode detectors

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摘要

Ge-on-Si single-photon avalanche diode (SPAD) detectors have demonstrated a high single-photon detection efficiency of 38% at a wavelength of 1310 nm when operated at a temperature of 125 K. These devices exhibit reduced afterpulsing compared to InGaAs/InP SPADs under nominally identical operating conditions.
机译:Ge-on-Si单光子雪崩二极管(SPAD)检测器在125 K的温度下工作时,在1310 nm的波长下具有38%的高单光子检测效率。与InGaAs / InP SPAD在名义上相同的工作条件下。

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