Reactive power; Simulation; Power amplifiers; HEMTs; Electron mobility; Transistors; Gallium nitride;
机译:采用0.25μM GAN HEMT技术的X波段100 W固态功率放大器
机译:X波段四路组合GaN固态功率放大器
机译:54%PAE,70-W X波段GaN MMIC功率放大器,具有各个源通过结构
机译:一个X波段内部匹配的GaN功率放大器,具有705W峰值功率和51.7%的PAE
机译:复合可重新配置的双频带固态功率放大器使用单个GaN HEMT进行S和X波段操作
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:X波段GaN组合固态功率放大器
机译:倍频带宽,高paE,线性,J类GaN高功率放大器