MOSFET; content-addressable storage; integrated circuit design; low-power electronics; asymmetric TCAM cells; independent-gate FinFET; low-power modes; power dissipation; shorted-gate mode; ternary content addressable memory cells; Delays; FinFETs; Logic gates; Power demand; Power dissipation; Predictive models; FinFET; Ternary content-addressable memory (TCAM); low-power electronics;
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机译:内容可寻址的内存管理器:设计和评估