Al_2O_3; passivation; annealing; c-Si;
机译:使用非接触式方法测量非晶硅钝化c-硅晶片的光电传输性能
机译:ALD沉积的AL_2O_3 / p型锗MOS结构的界面性质:氧化型GE界面层依赖于AL_2O_3厚度的影响
机译:用于硅钝化的ALD AI_2O_3工艺参数的优化及其在工业单晶硅太阳能电池上的实现
机译:通过ALD获得的AL_2O_3薄膜钝化P型C-硅晶片的优化
机译:氢化硅键合环境在α-硅:氢膜中对c-硅表面钝化的作用
机译:p型硅晶片上的HIT太阳能电池效率提高
机译:基于P型单晶织地用硅晶片和高温钝化触点的25.1%效率整体钙钛矿/硅串联太阳能电池