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Comparison of the Cell Process Margin at each LC Modes

机译:每个LC模式下电池工艺裕度的比较

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摘要

In this paper, we could know the cell process margin at each LC Modes. We simulated the characteristics of each LC Mode (VA, IPS, FFS and TN). We compared the T-V characteristics of pre-tilt and cell gap deviation by LC simulator (TechWizLCD 2D). We confirmed that the FFS mode's cell process margin is wider than other wide viewing angle LC Modes.
机译:在本文中,我们可以知道每种LC模式下的电池工艺裕度。我们模拟了每种LC模式(VA,IPS,FFS和TN)的特性。我们通过LC模拟器(TechWizLCD 2D)比较了预倾斜的T-V特性和单元间隙偏差。我们确认,FFS模式的像元处理裕度比其他宽视角LC模式宽。

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