86 GHz High Power IMPATT Negative Resistance Amplifier

机译：86 GHz大功率IMPATT负阻放大器

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Describes the development of a millimeter-wave two-stage IMPATT negative resistance amplifier, using a Si DDR IMPATT diode sealed in a ceramic package to obtain a gain of 10 dB and an output power of 18 dBm in the 86 GHz frequency range.

机译：介绍了毫米波两级IMPATT负电阻放大器的开发，该放大器使用密封在陶瓷封装中的Si DDR IMPATT二极管在86 GHz频率范围内获得10 dB的增益和18 dBm的输出功率。

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来源
《1978 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest》|1978年|p.312-314|共3页
会议地点
作者
Ando M.; Haga I.; Kanekor K.; Kanmuri N.;
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正文语种
中图分类微波与超高频技术;
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