annealing; chemical vapour deposition; diffusion; elemental semiconductors; passivation; silicon; silicon compounds; solar cells; thin films; HMDS flow rate; HWCVD; Si; Si-N bond density; SiCN; a-SiCN:H films; annealing; chemical composition ratio; diffusivity; electrical;
机译:热丝化学气相沉积沉积氢化非晶碳氮化硅(a-sicn:h)膜的结构和电子环境的研究
机译:用于表面声波器件的沉积在硅和石英基板上的AIN膜的结构和微结构特性研究
机译:通过使用催化化学气相沉积SiN_x层和超薄SiO_x膜,对具有化学稳定性和光学透明性的结晶硅进行高质量的表面钝化
机译:用六甲基二硅氮烷进行高品质硅表面钝化的A-SiCN:H膜结构性能研究
机译:氢化硅键合环境在α-硅:氢膜中对c-硅表面钝化的作用
机译:隧穿原子层沉积氧化铝:硅结的表面钝化的相关结构/电性能研究
机译:硅太阳能电池的结构和电学特性研究
机译:硅表面薄镍膜的结构研究。