MMIC power amplifiers; code division multiple access; heterojunction bipolar transistors; gallium arsenide; gallium compounds; indium compounds; III-V semiconductors; integrated circuit design; power integrated circuits; power efficient W-CDMA; HBT MMIC smart power amplifier; amplifier transistors; PAE; battery lifetime; active bias circuits; input-inter-stage matching network; power added efficiency; 21 mA; InGaP-GaAs;
机译:使用CMOS SOI的瓦特级功率放大器的电流调节自适应功率控制
机译:适用于W-CDMA蜂窝基站的370 W输出功率GaN-FET放大器
机译:使用单芯片GaN-FET的280 W输出功率单端放大器,用于W-CDMA蜂窝基站
机译:功率高效的W-CDMA智能功率放大器,具有用于输出功率电平的发射器区域
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:具有高输出功率和稳定输出光束的表面发射可调中红外激光器
机译:输出功率为20 dBm的F类功率放大器和高效双电源电压发送器的设计方法
机译:量子级联激光主振荡器功率放大器,输出功率为1.5 W,输出功率为300 K.