Singapore University of Technology and Design, Engineering Product Development, 20 Dover Drive, Singapore 138682, Singapore,Institute of High Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, #16-16 Connexis, Singapore 138632, Singapore;
Institute of High Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, #16-16 Connexis, Singapore 138632, Singapore;
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机译:氮掺杂的氢化无定形碳(a-C:H:N)涂层在新型氧化钇稳定的四方氧化锆(Y-TZP)植入物表面上的微生物粘附
机译:氮气氛下热处理的掺钇的四方氧化锆多晶体的微观结构和相稳定性
机译:(109964)氧化铝 - 氧化锆与氧化铝 - 氧化锆稳定的氧化锆纳米复合材料中四边形氧化锆的稳定:对比结构分析
机译:四方氧化锆中的反向直观的氮占用
机译:厚度和基材对半透明四方氧化锆配色的影响
机译:3mol%氧化钇稳定的四方氧化锆多晶体和两种不同的含氧化铌氧化锆陶瓷的成骨潜力分析
机译:多晶四方zircônia。第二部分:四方氧化锆多晶微结构和电阻率。第二部分:微观结构和电阻率