Art, Science and Technology Center for Cooperative Research, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan;
Department of Molecular and Materials Sciences, Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University,;
机译:绝缘体上SiGe虚拟衬底制造过程中产生的缺陷的光致发光评估:温度上升过程
机译:绝缘体上SiGe虚拟衬底制造过程中产生的缺陷的光致发光和TEM评估:温度上升过程
机译:太阳能电池制造工艺评价血浆诱导硅基衬底的缺陷
机译:通过MBE生长和热退火制备高Ge分数的弛豫绝缘体上SiGe虚拟衬底
机译:碳化硅中缺陷中心的低温光致发光研究。
机译:可溶液加工的金属种子水热生长法在柔性塑料基板上低温大面积制备ZnO纳米线
机译:Al2O3沉积和后续退火后富含富含GE富含SiGe-on-Insululator基材的缺陷的钝化
机译:使用晶片键合技术创建无缺陷高Ge含量(25%)siGe-on-Insulator(sGOI)衬底的方法。