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Enhancement of the electrophotographic sensitivity of amorphous selenium films using a PVK polymer barrier layer

机译:使用PVK聚合物阻挡层增强非晶态硒膜的电子照相感光度

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摘要

X-ray sensitivity of amorphous selenium (a-Se films approx 130 mu m) has been studied as a function of thickness (approx 2400A to 7500 A) of polyvinyl carbazole (PVK) interface barrier layer using the potential decay technique. The films show maximum sensitivity when incorporated with barrier layer of thickness approx 7500 A. This has been attributed to the blocking, trapping and field enhanced mobility role of the PVK interface barrier layer.
机译:使用电位衰减技术研究了非晶态硒(a-Se薄膜约130μm)对聚乙烯咔唑(PVK)界面阻挡层厚度(约2400A至7500A)的函数的X射线敏感性。当与厚度约7500 A的阻挡层结合使用时,这些膜显示出最大的灵敏度。这归因于PVK界面阻挡层的阻挡,俘获和场增强迁移率作用。

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