Infineon Technologies AG, Otto-Hahn-Ring 6, 81739 Munich;
机译:块体和FD SOI MOSFET的2D集成Monte Carlo建模:有源层厚度和噪声性能
机译:通过Langevin源对半导体器件进行基于物理的噪声建模的通用辅助方法
机译:低频噪声的非蒙特卡洛分析:复杂的非平稳行为的阐述以及与传统模型的比较
机译:基于Langevin型漂移扩散模型和全带Monte-Carlo产生的局部噪声源的2D分层射频噪声建模
机译:用于射频集成电路设计的纳米MOSFET的漂移偶极噪声模型。
机译:相干散射光子的蒙特卡洛采样技术中的统计噪声源
机译:高频无线电频带中的电力线噪声模型和能量检测