Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Universite Montpellier II, Case Courrier 074, 34095 Montpellier Cedex 5, France;
phonon states and bands, normal modes, and phonon dispersion; phonons or vibrational states in low-dimensional structures and anoscale materials; quantum dots; Ⅲ-Ⅴ and Ⅱ-Ⅵ semiconductors;
机译:应变引起的氮化铟声子频率之间的相关性
机译:重费米子系统中的声子频移及其相关性对电子-声子相互作用的影响
机译:密主移频率和相关性对重型系统中电子 - 声子相互作用的影响
机译:应变诱导的氮化铟型声子频率之间的相关性
机译:研究氮化铟和氮化铟铝薄膜中的光学带隙和光学声子。
机译:304L不锈钢制磁性编码器中低温渗氮对应变诱发马氏体和激光淬火奥氏体的影响
机译:硫化铟中拉曼活性声子频率的温度依赖性
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。