Institute for Microelectronics, TU Vienna Gusshausstrasse 27-29, A-1040 Vienna, Austria;
optimization; CMOS; TCAD; simulation; Ultra-Low-Power;
机译:基于TCAD的20纳米以下节点设备设计注意事项的预测NBTI框架
机译:基于迭代设备仿真,在高性能设备设计中使用自动设备优化的能力
机译:基于迭代设备仿真,在高性能设备设计中使用自动设备优化的能力
机译:具有TCAD框架的自动设备设计优化
机译:使用TCAD优化和开发基于硅的半导体器件。
机译:自动神经科学家:使用闭环实时功能磁共振成像优化实验设计的框架
机译:设计影响CCD对CMOS器件的表面CCD的影响:TCAD和表征研究