Ioffe Physico-Technical Institute, Polytekhnicheskaya str. 26, 194021 St. Petersburg, Russia;
light-emitting structures; Si; SiGe; Ge; ion implantation; epitaxy; diffusion; luminescence; defects;
机译:硅光电器件具有近带边缘发光的发光结构
机译:TiN缓冲的ZnO薄膜的近带边缘光致发光增强
机译:通过使用MgF2缓冲层增强ZnO薄膜的近带边缘光致发光
机译:具有近带边缘发光的发光结构,用于SI光电子
机译:硅基光电子学中多孔硅的结构,表面化学性质和可见光。
机译:nc-Si-SiOx发光结构的光致发光中的极化记忆效应
机译:通过分子束外延生长的p-Si /β-FeSi2颗粒/ n-Si和p-Si /β-FeSi2膜/ n-Si双异质结构发光二极管的光致发光衰减时间和电致发光