Electronics and Photonics Research Institute AIST Japan;
Light emitting diodes; Time-domain analysis; Photonics; Couplings; Gallium arsenide; Epitaxial growth;
机译:e逝波耦合效应增强GaN基发光二极管的光提取
机译:调整GaN / AlGaN芯/包层发光二极管中的van逝波耦合
机译:利用e逝波耦合效应提高AlGaInP发光二极管的光提取效率
机译:基于渐逝波耦合的新型方向发光二极管
机译:二极管激光到平面波导的渐逝波耦合
机译:超声引导的基于发光二极管的多波长漫射光学层析成像系统
机译:具有光子晶体的GaN基微腔发光二极管的高方向远场发射模式的结构效应
机译:发光二极管光与光纤的耦合:近耦合分析