Faculty of Materials Optoelectronics and Physics Xiangtan University Xiangtan 411105 China;
School of Materials Science and Engineering University of Shanghai for Science & Technology Shanghai 200093 China;
School of Physics Science and Technology Central South University Changsha 410083 China;
0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06BaTiO3; thin films; piezoelectricity; ferroelectricity; electrostrictive properties;
机译:退火温度对0.94(Na0.5 sub> Bi0.5 sub>)TiO3 sub> -0.06BaTiO3 sub>薄膜电致伸缩性能的影响
机译:退火温度对0.94(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3-0.06BaTiO_3薄膜电致伸缩性能的影响
机译:Al2O3纳米颗粒掺杂对去极化温度的影响,以及无铅0.94(BI0.5NA0.5)TiO3-0.06batiO3陶瓷的电气和能量收集性能
机译:退火温度对0.95(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.05 BaTiO3薄膜特性的影响
机译:氢退火和衬底温度对射频溅射氧化锌薄膜性能的影响
机译:基材工艺条件和生长ZnO薄膜性能的底蛋白温度通过连续的离子层吸附和反应方法
机译:Al2O3纳米颗粒掺杂对去极化温度的影响,以及无铅0.94(BI0.5NA0.5)TiO3-0.06batiO3陶瓷的电气和能量收集性能
机译:室温薄膜Ba(x)sr(1-x)TiO3 Ku波段耦合微带相移器:膜厚度,掺杂,退火和基板选择的影响